Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 244-1566
- Tillv. art.nr:
- BSZ0503NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
69,22 kr
(exkl. moms)
86,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 625 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,844 kr | 69,22 kr |
| 50 - 120 | 12,052 kr | 60,26 kr |
| 125 - 245 | 11,20 kr | 56,00 kr |
| 250 - 495 | 10,394 kr | 51,97 kr |
| 500 + | 9,70 kr | 48,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-1566
- Tillv. art.nr:
- BSZ0503NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 212A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 212A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon har MOSFET som är OptiMOS Power MOSFET, integrerad monolithisk Schottky-liknande diod och optimerad för högpresterande Buck-omvandlare.
N-kanal
Överlägsen värmebeständighet
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 212 A 40 V P, 8 Ben, PQFN, BSZ
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanal, MOSFET och diod, 40 A 30 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 223 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ