Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 30.6 A 12 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- RS-artikelnummer:
- 243-4888
- Tillv. art.nr:
- PXP3R7-12QUJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
85,12 kr
(exkl. moms)
106,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 8,512 kr | 85,12 kr |
| 50 - 90 | 8,333 kr | 83,33 kr |
| 100 - 240 | 6,642 kr | 66,42 kr |
| 250 + | 6,496 kr | 64,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-4888
- Tillv. art.nr:
- PXP3R7-12QUJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | MLPAK33 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp MLPAK33 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias P-kanalförstärkningsläge för fälteffekttransistor (FET) i en MLPAK33 (SOT8002) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med trench MOSFET-teknik.
Låg tröskelspänning
Trench MOSFET-teknik
Lastomkopplare på höga sidan
Batterihantering
DC-till-DC-konvertering
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 30.6 A 12 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 22.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 13.7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 20.2 A 20 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 17.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 12.1 A 20 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 7.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33