STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 240-0609P
- Tillv. art.nr:
- STHU32N65DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 240-0609P
- Tillv. art.nr:
- STHU32N65DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Serie | STH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 320W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | UL | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Serie STH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 320W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden UL | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics högspänningseffekt-MOSFET med N-kanal är en del av MDmesh DM6-diodserien med snabb återställning. Jämfört med den föregående MDmesh-snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden tillgängliga på marknaden för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasskiftomvandlare.
AEC-Q101-godkänd
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) x område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100 % avalanche-testade
Extremt robust dv/dt
Zener-skyddad