Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -640 mA -60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP2206

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en bricka)*

1 074,10 kr

(exkl. moms)

1 342,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 55 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 9521,482 kr
100 - 24519,466 kr
250 - 49519,062 kr
500 +18,704 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-5621P
Tillv. art.nr:
VP2206N3-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-640mA

Maximal källspänning för dränering Vds

-60V

Kapseltyp

TO-92

Serie

VP2206

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.9Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

0.74W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Microchips VP2206-serie är förstärkningsläge (normalt avstängd) transistorer som använder en vertikal DMOS-struktur och Supertex välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och den positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Dessa vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.

Den har en fri från sekundärfel

Den har ett krav på låg strömförbrukning

Den erbjuder enkel parallellkoppling, låg CISS och snabba omkopplingshastigheter

Den har hög ingångsimpedans och hög förstärkning med utmärkt termisk stabilitet

Den har en integrerad source-to-drain-diod

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.