Vishay N Kanal, MOSFET, 104 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8PT, SISA10BDN

RS-artikelnummer:: 239-5397
Tillv. art.nr:: SISA10BDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 104 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8PT, SISA10BDN

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

14 538,00 kr

(exkl. moms)

18 174,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

6 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	4,846 kr	14 538,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-5397
Tillv. art.nr:: SISA10BDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	104A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	PowerPAK 1212-8PT
	Serie	SISA10BDN
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0036Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	11.7nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	63W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	3.3mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	3.3mm
	Höjd	0.75mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 104A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp PowerPAK 1212-8PT
	Serie SISA10BDN
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0036Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.7nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 63W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 3.3mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 3.3mm
	Höjd 0.75mm
	Fordonsstandard Nej

Vishay SISA10BDN-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 104 A maximal kontinuerlig drain-ström - SISA10BDN-T1-GE3

Denna n-kanals MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för krävande termiska miljöer där effektiv ledning och snabb grindrespons krävs. Enheten erbjuds i en lågprofilförpackning som är optimerad för montering på tätt belägna kort.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 0.0036 Ω möjliggör minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 104 A stöder omkoppling vid tung belastning
• Drain-source-klassningsspänning 30 V möjliggör kraftkonstruktioner med låg spänning
• Typisk grindladdning på 11.7 nC ger snabbare grindstyrningsövergångar
• Maximal effektförlust på 63 W möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• Gate-source-motstånd 20 V ger huvudutrymme för olika drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-regulatorväxlingsstegen
• Idealisk för halvbryggor för motordrivare i kompakta växelriktare
• Används med högströmslastswitchar i servernätverksskenor
• Kan användas för batterihantering i system med hög strömförbrukning
• Lämplig för halvledarreläer och strömmoduler av fordonsstil

Vilken monteringsmetod krävs för tillförlitlig montering?

Det är en ytmonterad komponent i PowerPAK 1212-8PT-format, avsedd för omsmältningslödning till ett kretskortsfotavtryck utformat för termisk och elektrisk kontakt.

Hur påverkar omgivningstemperaturen driftkapaciteten?

Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör drift i både miljöer med under noll och förhöjd temperatur med lämplig värmehantering.

Vilken typ av ledningskanal använder den?

Den använder en N-typ-kanal, som är lämplig för lågspännings- och högströmsomkopplingstillämpningar.

Uppfyller enheten miljöbegränsningar?

Den uppfyller RoHS-kraven, vilket indikerar att den saknar begränsade farliga ämnen enligt standarden.