Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP0109

Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-8964P
Tillv. art.nr:
VP0109N3-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

140A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

VP0109

Kapseltyp

TO-92

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

140 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

30 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

3

Kapseltyp

TO-92

Serie

VP0109

Fordonsstandard

Nej

Framåtriktad spänning (Vf)

1.8 V

Maximal drain-källresistans (Rds)

8 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

1.6 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Genomgående hål

Standarder/godkännanden

No

The Microchip enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.