Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP0106
- RS-artikelnummer:
- 236-8962P
- Tillv. art.nr:
- VP0106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 9%
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras i en påse)*
448,00 kr
(exkl. moms)
560,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 520 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 8,96 kr | - |
| 100 - 240 | 8,109 kr | 9% |
| 250 - 490 | 7,974 kr | 11% |
| 500 + | 7,795 kr | 13% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-8962P
- Tillv. art.nr:
- VP0106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 140A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | VP0106 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 140A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie VP0106 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips normalt avstängda transistor med förstärkningsläge använder en vertikal DMOS-struktur och Supertex beprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. De vertikala DMOS FET:erna är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
Utmärkt värmestabilitet
Integrerad source-drain-diod
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning