Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 700 V, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 236-3676
- Tillv. art.nr:
- IPW65R125CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
99,46 kr
(exkl. moms)
124,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 226 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 49,73 kr | 99,46 kr |
| 10 - 18 | 44,295 kr | 88,59 kr |
| 20 - 48 | 41,27 kr | 82,54 kr |
| 50 - 98 | 38,305 kr | 76,61 kr |
| 100 + | 35,28 kr | 70,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3676
- Tillv. art.nr:
- IPW65R125CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 98W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.3mm | |
| Höjd | 21.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal effektförlust Pd 98W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.3mm | ||
Höjd 21.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS super junction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies. It is ideally suited for industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. It has drain current of 15 A.
Excellent hard-commutation ruggedness
Extra safety margin for designs with increased bus voltage
Enabling increased power density
Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications
Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications
Price competitiveness compared to alternative offerings in the market
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 19 A 700 V TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 25 A 700 V TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 22 A 700 V TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 15 A 700 V TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 63.3 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 33 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 106 A 700 V TO-247-4, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 83 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C6