Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 700 V N, 3 Ben, TO-263, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
236-3657
Tillv. art.nr:
IPB65R125CFD7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

19A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-263

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

N

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET med integrerad snabb kroppsdiod är det perfekta valet för resonanstopologier med hög effekt. Den är idealiskt lämpad för industriella tillämpningar, som server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där den möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Den har en dräneringsström på 15 A.

Utmärkt robusthet vid hård kommutation

Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning

Möjliggör ökad effekttäthet

Enastående lätt belastningseffektivitet i industriella SMPS-tillämpningar

Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar

Priskonkurrenskraft jämfört med alternativa erbjudanden på marknaden

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.