ROHM N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252

Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 14%

Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 405,60 kr

(exkl. moms)

1 757,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
50 - 9528,112 kr-
100 - 24523,90 kr14%
250 - 99523,364 kr16%
1000 +19,242 kr31%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-2694P
Tillv. art.nr:
R6511END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

2.4mm

Höjd

10.4mm

Längd

6.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.