ROHM N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 405,60 kr

(exkl. moms)

1 757,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 9528,112 kr
100 - 24523,90 kr
250 - 99523,364 kr
1000 +19,242 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-2694P
Tillv. art.nr:
R6511END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

10.4mm

Längd

6.4mm

Bredd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM R6xxxENx-serien är lågbrusiga produkter, Super Junction MOSFET, som lägger stor vikt vid användarvänlighet. Produkter i denna serie uppnår överlägsen prestanda för bullerkänsliga tillämpningar för att minska buller, t.ex. ljud- och belysningsutrustning.

Låg på-resistans

Snabb kopplingshastighet

Parallell användning är enkel

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.