ROHM N Kanal, MOSFET, 380 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, UMT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 322,00 kr

(exkl. moms)

2 904,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,774 kr2 322,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
235-2647
Tillv. art.nr:
BSS138BWAHZGT106
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

380mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

UMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

680mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

300mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.35mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.1mm

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM en N-kanal 60 V MOSFET och ESD-skyddsdiod ingår i SST3-kapseln. Denna produkt är idealisk för tillämpningar med omkopplingskrets och hög-sidad belastningsswitch, relädrivare. Detta är en mycket tillförlitlig produkt av fordonskvalitet som är kvalificerad enligt AEC-Q101.

Drivkrets med ultralåg spänning

Blyfri plätering

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.