STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU47 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 234-8901P
- Tillv. art.nr:
- STHU47N60DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
642,90 kr
(exkl. moms)
803,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 350 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 99 | 64,29 kr |
| 100 - 249 | 62,94 kr |
| 250 - 499 | 61,71 kr |
| 500 + | 60,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 234-8901P
- Tillv. art.nr:
- STHU47N60DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Serie | STHU47 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Serie STHU47 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics högspännings-N-kanal-effekt-MOSFET är en del av MDmesh DM6-diodserien med snabb återställning. Jämfört med den tidigare MDmesh snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden för de mest krävande högeffektiva brotopologierna och ZVS-fasomvandlarna.
AEC-Q101-godkänd
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100 % avalanche-testade