Renesas Electronics N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN
- RS-artikelnummer:
- 234-7062
- Tillv. art.nr:
- 2SK1835-E
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 234-7062
- Tillv. art.nr:
- 2SK1835-E
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Renesas Electronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Kapseltyp | TO-3PN | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 20.1mm | |
| Höjd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Renesas Electronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Kapseltyp TO-3PN | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 20.1mm | ||
Höjd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Renesas Electronics silikon N-kanal MOSFET är lämplig för omkopplings- och belastningsswitchar. Den har en hög brytspänning på 1500 V. Den är också lämplig för omkopplingsregulator.
Låg på-resistans
Höghastighetsswitchning
Hög robusthet
Låg driftsström
Ingen sekundär brytning
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, UniFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 43.5 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, UniFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET