Infineon N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

93 540,00 kr

(exkl. moms)

116 925,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +18,708 kr93 540,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
234-6988
Tillv. art.nr:
BSC074N15NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

114A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

BSC

Kapseltyp

SuperSO8 5 x 6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

9.2mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Maximal effektförlust Pd

46W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.35mm

Bredd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.2mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons OptiMOSTM N-kanal MOSFET i SuperSO8-huset utökar OptiMOSTM 3- och 5-produktportföljen och möjliggör högre effekttäthet utöver förbättrad robusthet, vilket svarar på behovet av lägre systemkostnader och ökad prestanda. Den låga omvända återvinningsladdningen (Qrr) förbättrar systemets tillförlitlighet genom att ge en betydande minskning av spänningsöverspänning, vilket minimerar behovet av snubblande kretsar, vilket resulterar i mindre tekniska kostnader och ansträngning. Den har en maximal kontinuerlig dräneringsström på 114 A och en maximal dräneringsspänning på 150 V. Den är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron utjämning.

Lägsta RDS(on) möjliggör högsta effekttäthet och effektivitet

Högre nominell driftstemperatur till 175 °C för ökad tillförlitlighet

Låg RthJC för utmärkt termiskt beteende

Lägre omvänd återhämtningsladdning (Qrr)

Mycket låg på-resistans RDS(on)

Mycket låg omvänd återhämtningsladdning (Qrr)

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.