Infineon N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC

RS-artikelnummer:: 234-6988
Tillv. art.nr:: BSC074N15NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

93 540,00 kr

(exkl. moms)

116 925,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 12 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	18,708 kr	93 540,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 234-6988
Tillv. art.nr:: BSC074N15NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	114A
	Maximal källspänning för dränering Vds	150V
	Kapseltyp	SuperSO8 5 x 6
	Serie	BSC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	9.2mΩ
	Kanalläge	N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	10nC
	Maximal effektförlust Pd	46W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.1mm
	Längd	5.35mm
	Höjd	1.2mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 114A
	Maximal källspänning för dränering Vds 150V
	Kapseltyp SuperSO8 5 x 6
	Serie BSC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 9.2mΩ
	Kanalläge N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC
	Maximal effektförlust Pd 46W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.1mm
	Längd 5.35mm
	Höjd 1.2mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon BSC-serien MOSFET, 150 V drain source-spänning, 114 A kontinuerlig drain-ström – BSC074N15NS5ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar där låga ledningsförluster och hög kontinuerlig ström krävs. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för kretsar som kräver robusta grinddrivarmarginaler och betydande effektförlustkapacitet.

Funktioner och fördelar:

• 150 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 9,2 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster för effektiv drift
• 114 A kontinuerlig strömkapacitet stöder system med hög belastning
• 46 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 10 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsenergiförluster
• VVGS-tolerans upp till 20 V möjliggör flexibla gate-drivnivåer

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare som hanterar betydande ström
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med motorstyrenheter som kräver hög kontinuerlig ström
• Kan användas för eldistributionsmoduler för telekom
• Lämplig för industriell omkoppling i högspänningsmiljöer

I vilka omgivningstemperaturer kan den fungera?

Den fungerar från -55 °C upp till 150 °C.

Vilken monteringsstil krävs för kretsmontering?

Den är avsedd för ytmontering i en SuperSO8 5x6-kapsel.

Hur många stift har enheten för kretskortslayout?

Kapseln använder åtta stift för elektrisk och termisk anslutning.

Vad är framspänningen under ledning?

Forward-spänningen under specificerade förhållanden är 1,2 V.

Vilket fysiskt fotavtryck och vilken profil bör designers tillåta?

Enheten mäter 5.35 mm längd och 6.1 mm bredd med en höjd på 1.2 mm.