onsemi N Kanal, MOSFET, 68 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247, NTH
- RS-artikelnummer:
- 233-6853
- Tillv. art.nr:
- NTH4L022N120M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rör med 450 enheter)*
50 546,25 kr
(exkl. moms)
63 182,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 450 + | 112,325 kr | 50 546,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-6853
- Tillv. art.nr:
- NTH4L022N120M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 325W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -0.45V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 151nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Höjd | 41.36mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 325W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -0.45V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 151nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 5.2mm | ||
Höjd 41.36mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Kiselkarbid (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1 200 V, M3S, TO-247-4L
ON Semiconductor NTH4L022N120M3S är en SiC-effekt, enkel N-kanal MOSFET. Den finns i en TO247-4L-förpackning. Med drain-to-source-spänning på 1200 V och kontinuerlig dräneringsström på 68 A används NTH4L022N120M3S i tillämpningar som solcellsväxelriktare, laddstationer för elfordon, UPS (avbrottsfria nätaggregat), energilagringssystem, SMPS (switch-mode-nätaggregat).
Den typiska RDS(on) för denna enhet är 22 mΩ med VGS på 18 V
Enheten erbjuder låga omkopplingsförluster
Den är 100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 68 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 84 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 151 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH