Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 233-3489
- Tillv. art.nr:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 76,75 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
309,01 kr
(exkl. moms)
386,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 227 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 309,01 kr | - |
| 5 - 9 | 293,66 kr | 76,75 kr |
| 10 - 24 | 287,39 kr | 216,20 kr |
| 25 - 49 | 268,80 kr | 1 005,25 kr |
| 50 + | 250,21 kr | 2 940,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-3489
- Tillv. art.nr:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 21.5mm | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Längd | 16.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 21.5mm | ||
Höjd 5.3mm | ||
Längd 16.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET:er för fordonsfamiljen har utvecklats för nuvarande och framtida inbyggda laddare och DC-DC-tillämpningar i hybrid- och elfordon. Den har 36 A dräneringsström.
Effektivitetsförbättring
Möjliggör högre frekvens
Ökad effekttäthet
Minskning av kylningens ansträngning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 52 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- Infineon N Kanal, MOSFET, 38 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- Infineon N Kanal, MOSFET, 202 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q100, AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q100, AEC-Q101