STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN3N
- RS-artikelnummer:
- 233-3092P
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
79,74 kr
(exkl. moms)
99,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 38 595 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 95 | 7,974 kr |
| 100 - 245 | 7,548 kr |
| 250 - 495 | 7,168 kr |
| 500 + | 6,832 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-3092P
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal effektförlust Pd 3.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \"Single Feature Size™\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Exceptional dv/dt capability
Avalanche rugged technology
100% avalanche tested