STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 5 Ben, STL24N60M2
- RS-artikelnummer:
- 233-3044P
- Tillv. art.nr:
- STL24N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 233-3044P
- Tillv. art.nr:
- STL24N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | STL24N60M2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.186Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie STL24N60M2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.186Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (COSS) profile
100% avalanche tested
Zener protected