Infineon N Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 232-0401
- Tillv. art.nr:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
176,06 kr
(exkl. moms)
220,08 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 176,06 kr |
| 5 - 9 | 167,10 kr |
| 10 - 24 | 163,74 kr |
| 25 - 49 | 153,22 kr |
| 50 + | 142,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-0401
- Tillv. art.nr:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 59A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 34mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 59A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 34mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon har SiC MOSFET som ger tillförlitlig och kostnadseffektiv prestanda i TO247 4-stiftspaket. 650 V CoolSiC MOSFET erbjuder en unik kombination av prestanda, tillförlitlighet och användarvänlighet. Den är lämplig för hög temperatur och tuff drift, den möjliggör förenklad och kostnadseffektiv implementering av högsta systemeffektivitet. MOSFET i TO247 4-stiftspaket minskar parasitiska källinduktanseffekter på grindkretsen vilket möjliggör snabbare omkoppling och ökad effektivitet.
Låg kapacitet
Optimerat omkopplingsbeteende vid högre strömmar
Överlägsen grindoxidtillförlitlighet
Utmärkt termiskt beteende
Ökad avalanchekapacitet
Fungerar med standarddrivrutin
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 39 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC