STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- RS-artikelnummer:
- 230-0094P
- Tillv. art.nr:
- SCTWA60N120G2-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 230-0094P
- Tillv. art.nr:
- SCTWA60N120G2-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SCTW | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 388W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SCTW | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 388W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.1mm | ||
Bredd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics SCTWA60N är en kiselkarbid-effekt-MOSFET-enhet som har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av omkopplingsförlusten är nästan oberoende av samlingstemperaturen.
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet