onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III
- RS-artikelnummer:
- 229-6456
- Tillv. art.nr:
- NTD600N80S3Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
167,33 kr
(exkl. moms)
209,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 235 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 33,466 kr | 167,33 kr |
| 50 - 95 | 28,852 kr | 144,26 kr |
| 100 - 495 | 24,998 kr | 124,99 kr |
| 500 - 995 | 21,996 kr | 109,98 kr |
| 1000 + | 20,004 kr | 100,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-6456
- Tillv. art.nr:
- NTD600N80S3Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor SUPERFET III-serien MOSFET gör det möjligt att göra mer effektiva, kompakta, kallare och mer robusta tillämpningar på grund av dess anmärkningsvärda prestanda i switchade strömtillämpningar som bärbara datoradaptrar, ljud, belysning, ATX-strömförsörjning och industriella strömförsörjningar.
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Lägre omkopplingsförlust
Förbättrad ESD-kapacitet med Zener-diod
Optimerad kapacitans
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET och diod, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET och diod, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V N, 8 Ben, TDFN, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V N, 8 Ben, TDFN, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V N, 8 Ben, TDFN, SUPERFET III