Littelfuse N Kanal, MOSFET, 220 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, X4
- RS-artikelnummer:
- 229-1436
- Tillv. art.nr:
- IXTT220N20X4HV
- Tillverkare / varumärke:
- Littelfuse
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 20,95 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
206,56 kr
(exkl. moms)
258,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 206,56 kr | - |
| 5 - 9 | 202,37 kr | 20,95 kr |
| 10 - 24 | 189,82 kr | 167,40 kr |
| 25 + | 182,01 kr | 613,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1436
- Tillv. art.nr:
- IXTT220N20X4HV
- Tillverkare / varumärke:
- Littelfuse
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Littelfuse | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 220A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-268 | |
| Serie | X4 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 157nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 800W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 4.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.05mm | |
| Höjd | 19.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Littelfuse | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 220A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-268 | ||
Serie X4 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 157nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 800W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 4.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.05mm | ||
Höjd 19.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFET: er är utformade med den senaste Ultra Junction-tekniken för högeffektiva strömtillämpningar. De finns i TO-247- och TO-268HV-kapslar. De erbjuder lägre RDS(on) samtidigt med minskad grind- och utgångsladdning, vilket möjliggör mer effektiv omkoppling vid given frekvens.
Låg grindladdning
Låg RDS(on)
Låg RthJC
Drifttemperaturen är 175 °C
Hög avalanche-klassning (900 mJ - 1J)
Relaterade länkar
- Littelfuse N Kanal, MOSFET, 220 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, X4
- Littelfuse N Kanal, MOSFET, 220 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X4
- Littelfuse N Kanal, MOSFET, 94 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X4
- Littelfuse N Kanal, SiC-effektmodul, 36 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-268
- onsemi N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS5C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS5C420NWFT
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- IXYS N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, HiperFET