STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-3031P
- Tillv. art.nr:
- STL105N8F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
151,60 kr
(exkl. moms)
189,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 + | 15,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-3031P
- Tillv. art.nr:
- STL105N8F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 95A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 127W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 95A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 127W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
Among the lowest RDS(on) on the market
Excellent FoM (figure of merit)
Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness
