Vishay N Kanal, MOSFET, 23.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2829
- Tillv. art.nr:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 228-2829
- Tillv. art.nr:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 39W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 39W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET används för DC/DC primärsidoswitch, telekom/server, motorstyrning och synkron likriktare.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor (FOM)
Stämd för lägsta RDS x Qoss FOM
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 23.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 146 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 126 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 77.4 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 51.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET