ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- RS-artikelnummer:
- 223-6207P
- Tillv. art.nr:
- QH8JC5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 24%
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
365,70 kr
(exkl. moms)
457,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 7,314 kr | - |
| 100 - 240 | 5,522 kr | 24% |
| 250 - 990 | 5,432 kr | 25% |
| 1000 + | 4,368 kr | 40% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-6207P
- Tillv. art.nr:
- QH8JC5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.91Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.8mm | |
| Höjd | 850μm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.91Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.8mm | ||
Höjd 850μm | ||
Längd 3.3mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM power MOSFET has TO-3PF package type. It is mainly used for switching.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating, RoHS compliant