ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- RS-artikelnummer:
- 223-6205P
- Tillv. art.nr:
- QH8JB5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 178,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
365,10 kr
(exkl. moms)
456,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 7,302 kr | - |
| 100 - 240 | 5,522 kr | 178,00 kr |
| 250 - 990 | 5,398 kr | 476,00 kr |
| 1000 + | 4,368 kr | 2 934,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-6205P
- Tillv. art.nr:
- QH8JB5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TSMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.41Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 2.8mm | |
| Höjd | 850μm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TSMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.41Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 2.8mm | ||
Höjd 850μm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Halogen free