ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V P, 3 Ben, DFN, BSS84X HZG AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
223-6196
Tillv. art.nr:
BSS84XHZGG2CR
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

DFN

Serie

BSS84X HZG

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5.3Ω

Kanalläge

P

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Höjd

0.4mm

Bredd

1mm

Längd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHMs effekt-MOSFET har DFN3333-9DC-kapseltyp. Den används huvudsakligen för omkoppling och motordrivning.

Låg påslagningsresistans

Litet paket för ytmontering

Blyfri plätering, RoHS-kompatibel

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.