Infineon 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 250 A 1200 V Förbättring, AG-62MM, FF6MR

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

8 351,39 kr

(exkl. moms)

10 439,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 26 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 18 351,39 kr
2 - 27 933,74 kr
3 +7 599,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4796
Tillv. art.nr:
FF6MR12KM1BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

250A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

AG-62MM

Serie

FF6MR

Typ av fäste

Chassi

Maximal drain-källresistans Rds

5.81mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

5.85V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

Infineons 62 mm 1200 V, 6 mΩ halvbryggmodul med Cool SicTM MOSFET.

Hög strömtäthet

Låga omkopplingsförluster

Överlägsen grindoxidtillförlitlighet

Högsta tålighet mot fukt

Robust integrerad kroppsdiod och därmed optimala termiska förhållanden

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.