Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4636
- Tillv. art.nr:
- IAUC100N10S5N040ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
172,70 kr
(exkl. moms)
215,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 9 900 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 34,54 kr | 172,70 kr |
| 25 - 45 | 31,092 kr | 155,46 kr |
| 50 - 120 | 29,03 kr | 145,15 kr |
| 125 - 245 | 26,924 kr | 134,62 kr |
| 250 + | 24,864 kr | 124,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4636
- Tillv. art.nr:
- IAUC100N10S5N040ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
Kan användas för automatisk optisk inspektion (AOI)
100 % avalanche-testade
AEC-godkänd
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET och diod, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-60, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM5 AEC-Q101