DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2858
- Tillv. art.nr:
- DMP3028LFDEQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
93,175 kr
(exkl. moms)
116,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,727 kr | 93,18 kr |
| 50 - 75 | 3,651 kr | 91,28 kr |
| 100 - 225 | 2,312 kr | 57,80 kr |
| 250 - 975 | 2,258 kr | 56,45 kr |
| 1000 + | 1,635 kr | 40,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2858
- Tillv. art.nr:
- DMP3028LFDEQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | UDFN | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 25mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.03W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.63mm | |
| Längd | 2.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp UDFN | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 25mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.03W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.63mm | ||
Längd 2.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex P-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Den är kvalificerad enligt AEC-Q101, med stöd av en PPAP.
Låg ingångskapacitans
Lågt motstånd vid tändning
Snabb växlingshastighet
Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 17.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMP AEC-Q101