DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2835
- Tillv. art.nr:
- DMN2710UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
78,60 kr
(exkl. moms)
98,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 750 enhet(er) från den 07 september 2026
- Dessutom levereras 1 250 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,572 kr | 78,60 kr |
| 100 - 200 | 0,771 kr | 38,55 kr |
| 250 - 450 | 0,748 kr | 37,40 kr |
| 500 - 950 | 0,71 kr | 35,50 kr |
| 1000 + | 0,69 kr | 34,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2835
- Tillv. art.nr:
- DMN2710UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 900mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 900mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 0.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.35mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 0.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101