DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

78,60 kr

(exkl. moms)

98,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 501,572 kr78,60 kr
100 - 2000,771 kr38,55 kr
250 - 4500,748 kr37,40 kr
500 - 9500,71 kr35,50 kr
1000 +0,69 kr34,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-2835
Tillv. art.nr:
DMN2710UWQ-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

900mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

DMN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.6nC

Maximal effektförlust Pd

0.6W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.35mm

Höjd

1.1mm

Längd

2.2mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.

Lågt motstånd vid tändning

Låg ingångskapacitans

Snabb växlingshastighet

Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel

Relaterade länkar