onsemi N Kanal, MOSFET, 433 A 30 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS0D6N
- RS-artikelnummer:
- 221-6726
- Tillv. art.nr:
- NTMFS0D6N03CT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
133,62 kr
(exkl. moms)
167,025 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 060 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,724 kr | 133,62 kr |
| 50 - 95 | 23,004 kr | 115,02 kr |
| 100 + | 19,98 kr | 99,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6726
- Tillv. art.nr:
- NTMFS0D6N03CT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 433A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Serie | NTMFS0D6N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.62mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.3mm | |
| Längd | 5.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 433A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Serie NTMFS0D6N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.62mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.3mm | ||
Längd 5.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor 30 V av effekt-MOSFET använder 433 A av dräneringsström med en N-kanal. Det förbättrar hanteringen av inkopplingsström och förbättrar också systemets effektivitet.
Avancerat paket (5 x 6 mm)
Ultralåg RDS(on) för att förbättra systemets effektivitet
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 433 A 30 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS0D6N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 433 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 313 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 533 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS0D6N04C
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 554.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS0D6N04CL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 398.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS001N06CL