onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH4LN067N
- RS-artikelnummer:
- 221-6709
- Tillv. art.nr:
- NTH4LN067N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 221-6709
- Tillv. art.nr:
- NTH4LN067N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | NTH4LN067N | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 266W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 22.74mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie NTH4LN067N | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 266W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 22.74mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Bredd 5.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET har en högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre grindladdningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ger överlägsen omkopplingsprestanda och tål extrema dv/dt-hastigheter.
Ultralåg grindladdning
låg effektiv utgångskapacitans 691 pF
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH4LN067N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, FCH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL067N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL095N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL125N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH4LN019N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL