Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 99.6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 220-7462
- Tillv. art.nr:
- IPW65R110CFDAFKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
161,50 kr
(exkl. moms)
201,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 136 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 80,75 kr | 161,50 kr |
| 10 - 18 | 72,69 kr | 145,38 kr |
| 20 - 48 | 67,87 kr | 135,74 kr |
| 50 - 98 | 63,785 kr | 127,57 kr |
| 100 + | 58,91 kr | 117,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7462
- Tillv. art.nr:
- IPW65R110CFDAFKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 277.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.13mm | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 277.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.13mm | ||
Bredd 5.21mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 650 V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET är Infineons andra generation av marknadsledande fordonskvalificerade högspännings Cool MOS-effekt-MOSFET. Förutom de välkända egenskaperna för hög kvalitet och tillförlitlighet som fordonsindustrin kräver, tillhandahåller 650 V Cool MOS CFDA-serien också en integrerad snabb kroppsdiod.
Första 650 V fordonskvalificerade teknik med integrerad snabb kroppsdiod på marknaden
Begränsad spänningsöverskridning under hård kommutation – självbegränsande di/dt och dv/dt
Lågt grindladdningsvärde Q g
Låg Q rr vid repetitiv kommutering på kroppsdiod och låg Q oss
Minskade tillslagnings- och vridfördröjningstider
Ökad säkerhetsmarginal tack vare högre brytspänning
Minskat EMI-utseende och lätt att designa i
Bättre effektivitet vid lätt belastning
Lägre omkopplingsförluster
Högre omkopplingsfrekvens och/eller högre arbetscykel möjlig
Hög kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 99.6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 97 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 109 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 111 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6