Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-5995
- Tillv. art.nr:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
164,09 kr
(exkl. moms)
205,11 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 7 320 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 10,939 kr | 164,09 kr |
| 75 - 135 | 10,386 kr | 155,79 kr |
| 150 - 360 | 9,945 kr | 149,18 kr |
| 375 - 735 | 9,513 kr | 142,70 kr |
| 750 + | 8,863 kr | 132,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-5995
- Tillv. art.nr:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 37W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 37W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.41mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS P7-serien MOSFET, 950 V drain-källspänning, 4 A kontinuerlig drain-ström – IPD95R2K0P7ATMA1
Denna MOSFET är en högspänningsförstärkningstransistor med N-kanal som är utformad för omkoppling och strömomvandling i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där en kompakt, termiskt kapabel omkopplingsenhet krävs.
Funktioner och fördelar:
• 950 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 2 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster vid drift med hög ström
• 10 nC grindladdning minskar drivenergi och omkopplingsrelaterade förluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 4 A stöder tillförlitliga måttliga belastningsströmmar
• Maximal effektförlust på 37 W ger betydande värmeutrymme
• 20 V gate-source-kapacitet för vanliga gate-drivspänningar
• 2 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster vid drift med hög ström
• 10 nC grindladdning minskar drivenergi och omkopplingsrelaterade förluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 4 A stöder tillförlitliga måttliga belastningsströmmar
• Maximal effektförlust på 37 W ger betydande värmeutrymme
• 20 V gate-source-kapacitet för vanliga gate-drivspänningar
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för switchade primärströmförsörjningsomkopplare
• Används med industriella motorstyrningsfrontändar
• Kan användas för energiomvandling i förnybara system
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
• Idealisk för switchade primärströmförsörjningsomkopplare
• Används med industriella motorstyrningsfrontändar
• Kan användas för energiomvandling i förnybara system
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
Vilka extrema temperaturer kan den tolerera under drift?
Den är klassad för drift från −55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i breda termiska omgivningar.
Hur är den förpackad för montering på kretskort?
Den levereras i en TO-252-förpackning för ytmontering som är lämplig för montering på lödda kort.
Vilka framåtriktade ledningsegenskaper är typiska vid ledning?
Enheten uppvisar en framåtvänd spänning på 0,9 V under ledning under lämpliga förhållanden.
Hur många elektriska anslutningar har den för kretsintegrering?
Den tillhandahåller tre stift för standard-MOSFET-terminalanslutningar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7