Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-5995
- Tillv. art.nr:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
164,085 kr
(exkl. moms)
205,11 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 7 320 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 10,939 kr | 164,09 kr |
| 75 - 135 | 10,386 kr | 155,79 kr |
| 150 - 360 | 9,945 kr | 149,18 kr |
| 375 - 735 | 9,513 kr | 142,70 kr |
| 750 + | 8,863 kr | 132,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-5995
- Tillv. art.nr:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 37W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 37W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons utformade för att möta de växande konsumenternas behov inom högspännings-MOSFET-arena, den senaste 950 V CoolMOSTM P7-tekniken fokuserar på SMPS-marknaden med låg effekt. 950 V CoolMOSTM P7-serien erbjuder 50 V mer blockeringsspänning än sin föregångare 900 V CoolMOSTM C3 och ger enastående prestanda när det gäller effektivitet, värmebeteende och användarvänlighet. Precis som alla andra medlemmar i P7-familjen levereras 950 V CoolMOSTM P7-serien med ett integrerat ESD-skydd med Zenerdiod. Den integrerade dioden förbättrar ESD-robustheten avsevärt, vilket minskar ESD-relaterade avkastningsförluster och når exceptionella användarvänlighetsnivåer. CoolMOSTM P7 är utvecklad med klassens bästa VGS(th) på 3 V och en smal tolerans på endast ± 0,5 V, vilket gör den enkel att driva och designa.
Klassens bästa VGS(th) på 3 V och minsta VGS(th)-variation på ±0,5 V
Integrerat zenerdiod-ESD-skydd upp till klass 2 (HBM)
Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7