STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL260N
- RS-artikelnummer:
- 219-4230P
- Tillv. art.nr:
- STL260N4LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 25 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
757,10 kr
(exkl. moms)
946,375 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 23 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 25 - 45 | 30,284 kr |
| 50 - 120 | 27,238 kr |
| 125 - 245 | 25,85 kr |
| 250 + | 25,178 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-4230P
- Tillv. art.nr:
- STL260N4LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | STL260N | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie STL260N | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
Among the lowest RDS(on) on the market
Excellent FoM (figure of merit)
Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness