STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 90 V, 5 Ben, LBB, RF3L05150CB4
- RS-artikelnummer:
- 218-4819P
- Tillv. art.nr:
- RF3L05150CB4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 218-4819P
- Tillv. art.nr:
- RF3L05150CB4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 2.5 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 90 V | |
| Antal ben | 5 | |
| Kapseltyp | LBB | |
| Serie | RF3L05150CB4 | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 1 Ω | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 2.5 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 90 V | ||
Antal ben 5 | ||
Kapseltyp LBB | ||
Serie RF3L05150CB4 | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 1 Ω | ||
Typ av fäste Yta | ||
The STMicroelectronics XXXx Is the state of the ART LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. This product also finds application in 136-174 MHz commercial ground communication and 30-512 MHz Jammer, ground/air communication systems.
Has Integrated ESD Protection
Has High Efficiency and Linear Gain operations
Has European Directive 2002/95/EC Compliance