Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9018
- Tillv. art.nr:
- IPB160N04S203ATMA4
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
303,74 kr
(exkl. moms)
379,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 940 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 60,748 kr | 303,74 kr |
| 10 - 20 | 52,236 kr | 261,18 kr |
| 25 - 45 | 48,608 kr | 243,04 kr |
| 50 - 120 | 45,584 kr | 227,92 kr |
| 125 + | 41,91 kr | 209,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9018
- Tillv. art.nr:
- IPB160N04S203ATMA4
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons sortiment av OptiMOS-produkter finns i högpresterande paket för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar. Dessa är robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Produkten är AEC Q101-kvalificerad för fordonsindustrin
100 % avalanche-testad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101