STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4
- RS-artikelnummer:
- 212-2094P
- Tillv. art.nr:
- SCTWA40N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 5 enheter (levereras i ett rör)*
812,00 kr
(exkl. moms)
1 015,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 5 - 9 | 162,40 kr |
| 10 + | 158,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 212-2094P
- Tillv. art.nr:
- SCTWA40N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 277W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 277W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SiC MOSFET
The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.
Very low switching losses
Low power losses at high temperatures
Higher operating temperature (up to 200 ˚C)
Body diode with no recovery losses
Easy to drive