Vishay N Kanal, MOSFET, 67.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR882BDP
- RS-artikelnummer:
- 210-5007P
- Tillv. art.nr:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (100 enheter, levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 667,70 kr
(exkl. moms)
2 084,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 240 | 16,677 kr |
| 250 - 490 | 15,803 kr |
| 500 - 990 | 15,131 kr |
| 1000 + | 14,246 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-5007P
- Tillv. art.nr:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 67.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | SiR882BDP | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 83.3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 54nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 67.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie SiR882BDP | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 83.3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.12mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.26mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8-kapseltyp.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor (FOM)
Stämd för lägsta RDS x Qoss FOM
100 % Rg och UIS-testad