Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- RS-artikelnummer:
- 210-4981
- Tillv. art.nr:
- SIHG11N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
571,20 kr
(exkl. moms)
714,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 475 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 22,848 kr | 571,20 kr |
| 50 - 100 | 21,477 kr | 536,93 kr |
| 125 + | 19,425 kr | 485,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-4981
- Tillv. art.nr:
- SIHG11N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 391mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 78W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 45.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 391mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 78W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 45.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET i Vishay E-serien har TO-247AC-kapseltyp med enkel konfiguration.
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Låg effektiv kapacitans (Ciss)
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Ultralåg grindladdning (Qg)
Avalanche Energy Rating (UIS)
Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHW21N80AE
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16.3 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 700 V Förbättring, 3 Ben, Super-247, E