Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 25 enheter)*

637,05 kr

(exkl. moms)

796,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
25 - 2525,482 kr637,05 kr
50 - 10023,954 kr598,85 kr
125 +21,661 kr541,53 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-4981
Tillv. art.nr:
SIHG11N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-247

Serie

E

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

391mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

78W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.83mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

45.3mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay E Series Power MOSFET has TO-247AC package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Relaterade länkar