Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E

RS-artikelnummer:: 210-4979
Tillv. art.nr:: SIHD11N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

55,38 kr

(exkl. moms)

69,23 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 975 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	11,076 kr	55,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 210-4979
Tillv. art.nr:: SIHD11N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	800V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	E
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	391mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Maximal effektförlust Pd	78W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	28nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	6.4mm
	Längd	9.4mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	2.2mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 800V
	Kapseltyp TO-252
	Serie E
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 391mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Maximal effektförlust Pd 78W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 6.4mm
	Längd 9.4mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 2.2mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIHD11N80AE-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source-spänning, 78 W effektförlust – SIHD11N80AE-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad strömomvandling och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett mycket brett temperaturområde och är avsedd för krävande miljöer där hantering av hög dren-källspänning och måttlig strömkapacitet krävs, samtidigt som den uppfyller RoHS-begränsningar.

Funktioner och fördelar:

• 800 V drain-source-klassning möjliggör högspänningstopologier
• Kontinuerlig dräneringsström på 8 A stöder måttliga strömkretsar
• 391 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid nominell ström
• Maximal effektförlust på 78 W möjliggör betydande värmehantering
• 28 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi
• 30 V grindtröskel för standardgrinddrivarspänningar

Användningsområden

• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för halvbrygga och förstärkningsomvandlarsteg
• Används med industriella motorstyrningsfrontändar
• Kan användas för offline-laddare och belysningsstyrning
• Lämplig för telekom- och strömfördelningsmoduler

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?

Den levereras i en TO-252-förpackning avsedd för ytmontering för att underlätta termisk koppling till kretskortskoppar.

Vilket temperaturområde tål den under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa temperaturförhållanden.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen beräkningarna av effektförlust?

A framspänning på 1,2 V bör inkluderas när man uppskattar lednings- och omkopplingsförluster i diodledande intervall och synkrona arrangemang.

Vilka begränsningar för grinddrivning måste observeras?

Den maximala gate-källspänningen är 30 V, så gate-drivrutiner och skydd måste förhindra utflykter utöver detta värde.