Texas Instruments Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WSON, NexFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
208-8488
Tillv. art.nr:
CSD25310Q2
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

WSON

Serie

NexFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

2.39mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

2.9W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

2mm

Höjd

0.7mm

Fordonsstandard

Nej

-

-

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.