DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 24 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH43 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 206-0164
- Tillv. art.nr:
- DMTH43M8LFG-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
210,42 kr
(exkl. moms)
263,03 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 8,417 kr | 210,43 kr |
| 50 - 75 | 8,243 kr | 206,08 kr |
| 100 - 225 | 7,898 kr | 197,45 kr |
| 250 - 975 | 7,737 kr | 193,43 kr |
| 1000 + | 7,325 kr | 183,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0164
- Tillv. art.nr:
- DMTH43M8LFG-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerDI3333 | |
| Serie | DMTH43 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.62W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 750μm | |
| Bredd | 3.25mm | |
| Längd | 3.25mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerDI3333 | ||
Serie DMTH43 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.62W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 750μm | ||
Bredd 3.25mm | ||
Längd 3.25mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 40 V, 8-polig N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 2,62 W termisk effektförlust.
Låg RDS(ON) – säkerställer att inkopplingsförluster minimeras
Klassad för +175 °C, idealisk för miljö med hög omgivningstemperatur
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 24 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH43 AEC-Q101
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -10.3 A -60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMP6023LFG AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 14.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN4010LFG AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMG7430LFG AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 45.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH69 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101