onsemi N Kanal, MOSFET, 61 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 205-2430
- Tillv. art.nr:
- NTMFS015N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
255,36 kr
(exkl. moms)
319,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 550 enhet(er) från den 29 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 25,536 kr | 255,36 kr |
| 100 - 240 | 22,019 kr | 220,19 kr |
| 250 + | 19,074 kr | 190,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 205-2430
- Tillv. art.nr:
- NTMFS015N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 61A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 108.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.9mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 61A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 108.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.9mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 0.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor Power Trench-serien 150 V N-kanal MOSFET är tillverkad med hjälp av avancerad process som innehåller skärmad grindteknik. Denna process har optimerats för att minimera motståndet i on-state och ändå behålla överlägsen omkopplingsprestanda med klassens bästa mjuka husdiod.
Maximal nominell dräneringsström är 61 A
Drain-till-källresistansklassning är 14 mohm
Litet fotavtryck (5 mm x 6 mm) för kompakt design
Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster
Låg QG och kapacitans för att minimera drivförluster
100 % UIL-testad
Förpackningen är Power 56 (PQFN8)
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 61 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 51 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 126 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PQFN-8, PowerTrench Power Clip
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 150 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, Power
- onsemi N Kanal, MOSFET, 31 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTMFS