onsemi N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NVB

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5731
Tillv. art.nr:
NVBG040N120SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-263

Serie

NVB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

56mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

106nC

Maximal effektförlust Pd

178W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.2mm

Höjd

15.7mm

Bredd

4.7mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

Nej

Kiselkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Kiselkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L


ON Semiconductor silikonkarbid effekt-MOSFET körs med 60 ampere och 1200 volt. Den kan användas i fordonsinbyggda laddare, DC- eller DC-omvandlartillämpningar.

AEC Q101-kvalificerade

Godkännande av produktionsdelar kan genomföras

100 % avalanche-testade

Låg effektiv utgångskapacitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.