onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 84 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTTF
- RS-artikelnummer:
- 202-5729
- Tillv. art.nr:
- NTTFS5D9N08HTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
327,50 kr
(exkl. moms)
409,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 13,10 kr | 327,50 kr |
| 100 - 225 | 11,29 kr | 282,25 kr |
| 250 + | 9,793 kr | 244,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5729
- Tillv. art.nr:
- NTTFS5D9N08HTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 84A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | NTTF | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Höjd | 3.4mm | |
| Bredd | 0.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 84A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie NTTF | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Höjd 3.4mm | ||
Bredd 0.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET med en N-kanal körs på 80 volt och 84 ampere. Den kan användas på DC-DC Buck-omvandlare, belastningspunkt, högeffektiva belastningsomkopplare och lågsidig omkoppling, eller FET.
Blyfri
Halogenfria
RoHS-kompatibel
-55 till +150 °C drift- och lagringstemperaturområde
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 84 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTTF
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTTF
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 103 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTTF
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 96 A 30 V Avskrivningar, 8 Ben, PQFN, NTTF
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTMFS006N08MC
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, FDMS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, FDMC
- onsemi 1 Typ N Kanal N-kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 12 Ben, WQFN, NTTF