STMicroelectronics N Kanal, MOSFET-moduler, 45 A 1.2 kV Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- RS-artikelnummer:
- 202-5494P
- Tillv. art.nr:
- SCTWA30N120
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 202-5494P
- Tillv. art.nr:
- SCTWA30N120
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET-moduler | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 45 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 1.2 kV | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 0.09 Ω | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET-moduler | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 45 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 1.2 kV | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 0.09 Ω | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance