STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
202-5475
Tillv. art.nr:
SCT10N120
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Hip-247

Serie

SCT

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.58Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Framåtriktad spänning Vf

4.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

150W

Maximal arbetstemperatur

200°C

Höjd

34.95mm

Längd

15.75mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance