STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, Mdmesh M6
- RS-artikelnummer:
- 201-4499
- Tillv. art.nr:
- STL47N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
151,65 kr
(exkl. moms)
189,562 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 75,825 kr | 151,65 kr |
| 50 - 98 | 56,895 kr | 113,79 kr |
| 100 - 248 | 51,97 kr | 103,94 kr |
| 250 - 998 | 50,625 kr | 101,25 kr |
| 1000 + | 49,17 kr | 98,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 201-4499
- Tillv. art.nr:
- STL47N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 8.1mm | |
| Bredd | 0.95 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 8.1mm | ||
Bredd 0.95 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics N-channel 600 V, 70 mO typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package has a excellent switching performance thanks to the extra driving source pin.
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 31 A 600 V Förbättring TO-220, Mdmesh M6
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 650 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 14 A 500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.5 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
