STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, Mdmesh M6
- RS-artikelnummer:
- 201-4499
- Tillv. art.nr:
- STL47N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
136,30 kr
(exkl. moms)
170,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 68,15 kr | 136,30 kr |
| 20 - 98 | 65,91 kr | 131,82 kr |
| 100 - 198 | 63,84 kr | 127,68 kr |
| 200 + | 55,33 kr | 110,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 201-4499
- Tillv. art.nr:
- STL47N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 8.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 8.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal 600 V, 70 mO typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET i ett PowerFLAT 8x8 HV-paket har utmärkt omkopplingsprestanda tack vare det extra drivande källstift.
Låg grindingångsresistans
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, Mdmesh M6
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh